Wie verhält sich der Strom zwischen Drain und Source, wenn eine Spannung anliegt?

Antwort

Der Strom zwischen Drain und Source in einem Feldeffekttransistor (FET) hängt von der anliegenden Spannung sowie dem Typ des FETs ab. Es gibt zwei Haupttypen von FETs: den Junction-FET (JFET) und den Metall-Oxid-Halbleiter-FET (MOSFET). 1. **JFET:** - **Ohmscher Bereich:** Bei niedrigen Spannungen zwischen Drain und Source (V_DS) verhält sich der JFET wie ein Widerstand, und der Strom (I_D) steigt linear mit der Spannung. - **Sättigungsbereich:** Ab einer bestimmten Spannung erreicht der JFET den Sättigungsbereich, in dem der Strom nahezu konstant bleibt, unabhängig von weiteren Erhöhungen der Drain-Source-Spannung. 2. **MOSFET:** - **Ohmscher Bereich (Linearbereich):** Bei niedrigen V_DS verhält sich der MOSFET ebenfalls wie ein Widerstand, und der Strom steigt linear mit der Spannung. - **Sättigungsbereich:** Bei höheren V_DS erreicht der MOSFET den Sättigungsbereich, in dem der Strom durch die Gate-Source-Spannung (V_GS) kontrolliert wird und weitgehend unabhängig von weiteren Erhöhungen der Drain-Source-Spannung ist. In beiden Fällen wird der Stromfluss durch die Gate-Source-Spannung (V_GS) gesteuert. Bei einem n-Kanal FET fließt der Strom von Drain nach Source, während bei einem p-Kanal FET der Strom von Source nach Drain fließt. Für detailliertere Informationen und spezifische Formeln zur Berechnung des Stroms in den verschiedenen Betriebsbereichen eines FETs, siehe die entsprechenden Datenblätter und technische Dokumentationen der verwendeten Transistoren.

Kategorie: Elektronik Tags: Strom Spannung FET
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