2 Fragen zu Fet

Ein Feld-Effekt-Transistor (FET) ist ein Halbleiterbauelement, das zurärkung oder Schaltung von elektrischen Signalen verwendet wird. Er funktioniert durch die Kontrolle des elektrischen Stroms, der durch einen Kanal fließt, mittels eines elektrischen Feldes. Die Hauptteile eines FET sind: 1. **Kanal**: Ein dünner Bereich aus Halbleitermaterial (z.B. Silizium), der den Strom leitet. Der Kanal kann n-Typ (mit Elektronen als Hauptträger) oder p-Typ (mit Löchern als Hauptträger) sein. 2. **Source (S)**: Der Anschluss, über den der Strom in den Kanal eintritt. 3. **Drain (D)**: Der Anschluss, über den der Strom den Kanal verlässt. 4. **Gate (G)**: Ein Steueranschluss, der ein elektrisches Feld erzeugt, um die Leitfähigkeit des Kanals zu beeinflussen. Durch Anlegen einer Spannung am Gate kann der Stromfluss zwischen Source und Drain gesteuert werden. FETs sind in verschiedenen Typen erhältlich, darunter der Junction FET (JFET) und der Metal-Oxide-Semiconductor FET (MOSFET). MOSFETs sind besonders weit verbreitet in digitalen Schaltungen und integrierten Schaltungen, da sie eine hohe Eingangsimpedanz und geringe Verlustleistung aufweisen. Zusammengefasst sind FETs wichtige Bauelemente in der Elektronik, die eine präzise Steuerung von elektrischen Signalen ermöglichen.

Der Strom zwischen Drain und Source in einem Feldeffekttransistor (FET) hängt von der anliegenden Spannung sowie dem Typ des FETs ab. Es gibt zwei Haupttypen von FETs: den Junction-FET (JFET) und den Metall-Oxid-Halbleiter-FET (MOSFET). 1. **JFET:** - **Ohmscher Bereich:** Bei niedrigen Spannungen zwischen Drain und Source (V_DS) verhält sich der JFET wie ein Widerstand, und der Strom (I_D) steigt linear mit der Spannung. - **Sättigungsbereich:** Ab einer bestimmten Spannung erreicht der JFET den Sättigungsbereich, in dem der Strom nahezu konstant bleibt, unabhängig von weiteren Erhöhungen der Drain-Source-Spannung. 2. **MOSFET:** - **Ohmscher Bereich (Linearbereich):** Bei niedrigen V_DS verhält sich der MOSFET ebenfalls wie ein Widerstand, und der Strom steigt linear mit der Spannung. - **Sättigungsbereich:** Bei höheren V_DS erreicht der MOSFET den Sättigungsbereich, in dem der Strom durch die Gate-Source-Spannung (V_GS) kontrolliert wird und weitgehend unabhängig von weiteren Erhöhungen der Drain-Source-Spannung ist. In beiden Fällen wird der Stromfluss durch die Gate-Source-Spannung (V_GS) gesteuert. Bei einem n-Kanal FET fließt der Strom von Drain nach Source, während bei einem p-Kanal FET der Strom von Source nach Drain fließt. Für detailliertere Informationen und spezifische Formeln zur Berechnung des Stroms in den verschiedenen Betriebsbereichen eines FETs, siehe die entsprechenden Datenblätter und technische Dokumentationen der verwendeten Transistoren.