SRAM (Static Random Access Memory) speichert Daten durch die Verwendung von bistabilen Flip-Flops, die aus Transistoren bestehen. Im Gegensatz zu DRAM (Dynamic Random Access Memory) benötigt SRAM keine regelmäßige Auffrischung, um die gespeicherten Daten zu erhalten, da die Informationen in einem stabilen Zustand gehalten werden, solange die Stromversorgung besteht. Jede Speicherzelle in SRAM besteht typischerweise aus sechs Transistoren, die zusammenarbeiten, um ein Bit zu speichern. Diese Struktur ermöglicht schnellere Zugriffszeiten und eine höhere Geschwindigkeit im Vergleich zu DRAM, was SRAM ideal für Anwendungen macht, die schnelle Datenzugriffe erfordern, wie z.B. Cache-Speicher in Prozessoren.