- **Materialien**: Halbleitermaterialien wie Silizium (Si) oder Germanium (Ge). - **Kristallstruktur**: Reine Halbleiterkristalle, die gezielt dotiert werden, um elektrische Eigenschaften zu verändern. - **Dotierung**: Einführung von Verunreinigungen (z.B. Phosphor für n-Typ, Bor für p-Typ), um die Leitfähigkeit zu erhöhen. - **P-N-Übergang**: Bildung eines p-n-Übergangs, der für die Detektion von Strahlung entscheidend ist. - **Elektroden**: Anbringen von Metallkontakten (Anode und Kathode) zur Messung des erzeugten Stroms. - **Bias-Spannung**: Anlegen einer externen Spannung, um die Ladungsträgerbewegung zu fördern. - **Detektion**: Erzeugung von Elektronen-Loch-Paaren durch ionisierende Strahlung, die als elektrischer Strom gemessen werden. - **Kühlung**: Oft erforderlich, um thermische Rauschsignale zu minimieren, insbesondere bei Germaniumdetektoren.