Wie hoch sind die maximale Eingangsspannung und Stromstärke beim ESP8266 WeMos D1 Mini?

Question

Wie hoch sind die maximale Eingangsspannung und Stromstärke beim ESP8266 WeMos D1 Mini?

Antwort

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Wie hoch ist der Widerstand bei 12V und 12A?

Welche Ultra-Low-Dropout-Regulatoren gibt es für 3,3V positiv bei über 100mA?

Berechnung der Ströme bei 24 V in einem Schaltkreis mit 20 kΩ Serie und 50 kΩ + 100 kΩ Parallel.

Wie groß muss die Leistung eines parallel geschalteten 1 kΩ Widerstands bei 12 V sein?

Verwendung von Multimetern

Kann an den analogen Eingängen des Arduino Boards eine Spannung von 0,007 V gemessen werden?

Berechne die Kapazität eines Kondensators mit 200 Volt Spannung und 0,4 mC Ladung.

Welcher Widerstand R bei 400 mA und 12 V?

Was passiert, wenn eine Glühbirne keine ausreichende Spannung erhält?

Wie verhalten sich Dioden und Löcher ohne äußere Spannung?

Accepted Answer

Die **Eingangsspannung** und **Stromstärke** für den ESP8266 WeMos D1 Mini sind wie folgt: - **Eingangsspannung (am "5V"-Pin oder über Micro-USB):** 5 Volt (typisch USB-Spannung). Die Platine hat einen Spannungsregler, der die 5V auf 3,3V für den ESP8266 herunterregelt. - **Maximale Stromaufnahme:** Der ESP8266 kann beim Senden von WLAN-Daten kurzzeitig bis zu **300 mA** benötigen. Es wird empfohlen, eine Stromquelle mit mindestens **500 mA** bereitzustellen, um auch Peripherie zu versorgen. - **Achtung:** Die **3,3V-Pins** dürfen **niemals** mit mehr als 3,3V versorgt werden, da der ESP8266 sonst beschädigt wird. **Zusammengefasst:** - **Eingangsspannung:** 5V (über USB oder 5V-Pin) - **Maximaler Strom:** mindestens 500 mA empfohlen - **3,3V-Pin:** Nur als Ausgang verwenden, nicht als Eingang für externe Spannung Weitere Infos findest du z.B. im [offiziellen WeMos D1 Mini Wiki](https://wiki.wemos.cc/products:d1:d1_mini).

Accepted Answer

Um den Widerstand zu berechnen, kannst du das Ohmsche Gesetz verwenden, das lautet: \[ R = \frac{U}{I} \] Dabei ist \( R \) der Widerstand in Ohm (Ω), \( U \) die Spannung in Volt (V) und \( I... [mehr]

Accepted Answer

Um den Widerstand zu berechnen, kannst du das Ohmsche Gesetz verwenden, das lautet: \[ R = \frac{U}{I} \] Dabei ist \( R \) der Widerstand in Ohm (Ω), \( U \) die Spannung in Volt (V) und \( I \) die Stromstärke in Ampere (A). In deinem Fall beträgt die Spannung \( U = 12 \, \text{V} \) und die Stromstärke \( I = 12 \, \text{A} \). Setze die Werte in die Formel ein: \[ R = \frac{12 \, \text{V}}{12 \, \text{A}} = 1 \, \Omega \] Der Widerstand beträgt also 1 Ohm.

Accepted Answer

Es gibt zahlreiche Ultra-Low Dropout (ULDO) Linearregler, die 3,3 V Ausgangsspannung und Ströme über 100 mA liefern können. Hier eine Auswahl gängiger Bauteile von bekannten Herste... [mehr]

Accepted Answer

Es gibt zahlreiche Ultra-Low Dropout (ULDO) Linearregler, die 3,3 V Ausgangsspannung und Ströme über 100 mA liefern können. Hier eine Auswahl gängiger Bauteile von bekannten Herstellern: 1. **Texas Instruments** - [TPS7A02](https://www.ti.com/product/TPS7A02): Bis zu 200 mA, Dropout typ. 45 mV bei 200 mA. - [TPS7A05](https://www.ti.com/product/TPS7A05): Bis zu 500 mA, Dropout typ. 60 mV bei 500 mA. 2. **Analog Devices (ehemals Linear Technology)** - [LT3080](https://www.analog.com/en/products/lt3080.html): Bis zu 1,1 A, Dropout typ. 350 mV bei 1 A (bei niedrigeren Strömen entsprechend weniger). - [LT1763](https://www.analog.com/en/products/lt1763.html): Bis zu 500 mA, Dropout typ. 300 mV bei 500 mA. 3. **ON Semiconductor** - [NCP4681DSQ33T1G](https://www.onsemi.com/products/power-management/linear-regulators-ldo/ncp4681): Bis zu 150 mA, Dropout typ. 80 mV bei 150 mA. 4. **Microchip** - [MCP1700-3302E](https://www.microchip.com/en-us/product/MCP1700): Bis zu 250 mA, Dropout typ. 178 mV bei 250 mA. 5. **Richtek** - [RT9080-33GJ5](https://www.richtek.com/Products/Linear%20Regulators/Ultra%20Low%20Dropout%20Linear%20Regulators/RT9080?sc_lang=en): Bis zu 300 mA, Dropout typ. 70 mV bei 300 mA. **Wichtige Auswahlkriterien:** - Dropout-Spannung (je niedriger, desto besser) - Maximaler Ausgangsstrom - Ruhestrom (Quiescent Current) - Gehäuseform und Verfügbarkeit Für besonders niedrige Dropout-Spannungen sind die Bauteile von Texas Instruments (z. B. TPS7A02) und ON Semiconductor (z. B. NCP4681) sehr beliebt. Datenblätter und weitere Informationen findest du auf den verlinkten Herstellerseiten.

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Um die Ströme in diesem Schaltkreis zu berechnen, gehen wir schrittweise vor. 1. **Berechnung des Gesamtwiderstands**: Zuerst berechnen wir den Gesamtwiderstand der parallel geschalteten Wide... [mehr]

Accepted Answer

Um die Ströme in diesem Schaltkreis zu berechnen, gehen wir schrittweise vor. 1. **Berechnung des Gesamtwiderstands**: Zuerst berechnen wir den Gesamtwiderstand der parallel geschalteten Widerstände (50 kΩ und 100 kΩ). Der Gesamtwiderstand \( R_{parallel} \) wird mit der Formel für parallele Widerstände berechnet: \[ \frac{1}{R_{parallel}} = \frac{1}{R_1} + \frac{1}{R_2} \] Setzen wir die Werte ein: \[ \frac{1}{R_{parallel}} = \frac{1}{50\,k\Omega} + \frac{1}{100\,k\Omega} \] \[ \frac{1}{R_{parallel}} = \frac{2}{100\,k\Omega} + \frac{1}{100\,k\Omega} = \frac{3}{100\,k\Omega} \] \[ R_{parallel} = \frac{100\,k\Omega}{3} \approx 33.33\,k\Omega \] Jetzt addieren wir den Widerstand in Serie (20 kΩ): \[ R_{total} = R_{series} + R_{parallel} = 20\,k\Omega + 33.33\,k\Omega \approx 53.33\,k\Omega \] 2. **Berechnung des Gesamtstroms**: Mit dem Gesamtwiderstand können wir den Gesamtstrom \( I_{total} \) berechnen, der durch den gesamten Schaltkreis fließt, indem wir das Ohmsche Gesetz verwenden: \[ I_{total} = \frac{U}{R_{total}} = \frac{24\,V}{53.33\,k\Omega} \approx 0.000449\,A \approx 449\,\mu A \] 3. **Berechnung der Ströme durch die parallelen Widerstände**: Der Strom teilt sich in den parallelen Widerständen. Der Strom durch jeden Widerstand kann mit dem Ohmschen Gesetz berechnet werden. Zuerst berechnen wir die Spannung über den parallelen Widerständen: \[ U_{parallel} = I_{total} \cdot R_{series} = 449\,\mu A \cdot 20\,k\Omega \approx 8.98\,V \] Jetzt können wir die Ströme durch die einzelnen parallelen Widerstände berechnen: - **Für den 50 kΩ Widerstand**: \[ I_{50} = \frac{U_{parallel}}{R_{50}} = \frac{8.98\,V}{50\,k\Omega} \approx 0.0001796\,A \approx 179.6\,\mu A \] - **Für den 100 kΩ Widerstand**: \[ I_{100} = \frac{U_{parallel}}{R_{100}} = \frac{8.98\,V}{100\,k\Omega} \approx 0.0000898\,A \approx 89.8\,\mu A \] Zusammenfassend: - Der Gesamtstrom \( I_{total} \) beträgt etwa 449 µA. - Der Strom durch den 50 kΩ Widerstand beträgt etwa 179.6 µA. - Der Strom durch den 100 kΩ Widerstand beträgt etwa 89.8 µA.

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Um die Leistung eines einzelnen Widerstands in einer Parallelschaltung zu berechnen, kannst du die Formel für die Leistung \( P \) verwenden: \[ P = \frac{U^2}{R} \] Dabei ist \( U \) die Spann... [mehr]

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Um die Leistung eines einzelnen Widerstands in einer Parallelschaltung zu berechnen, kannst du die Formel für die Leistung \( P \) verwenden: \[ P = \frac{U^2}{R} \] Dabei ist \( U \) die Spannung und \( R \) der Widerstand. In diesem Fall beträgt die Spannung \( U = 12 \, \text{V} \) und der Widerstand eines einzelnen Widerstands ist \( R = 1 \, \text{kΩ} = 1000 \, \text{Ω} \). Setze die Werte in die Formel ein: \[ P = \frac{12^2}{1000} = \frac{144}{1000} = 0,144 \, \text{W} \] Die Leistung eines einzelnen Widerstands beträgt also 0,144 W oder 144 mW. Da die Widerstände parallel geschaltet sind, wird jeder Widerstand die gleiche Spannung von 12 V erhalten, und die Berechnung bleibt für jeden Widerstand gleich. Es ist jedoch wichtig sicherzustellen, dass die Widerstände für diese Leistung ausgelegt sind, um Überhitzung oder Beschädigung zu vermeiden.

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Multimeter Verwendung: 1. **Spannungsmessung** (AC/DC) 2. **Strommessung** (AC/DC) 3. **Widerstandsmessung** 4. **Durchgangsprüfung** 5. **Diodentest** 6. **Kapazitätsmessung** 7. **Freque... [mehr]

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Multimeter Verwendung: 1. **Spannungsmessung** (AC/DC) 2. **Strommessung** (AC/DC) 3. **Widerstandsmessung** 4. **Durchgangsprüfung** 5. **Diodentest** 6. **Kapazitätsmessung** 7. **Frequenzmessung** 8. **Temperaturmessung** (bei bestimmten Modellen) 9. **Transistorprüfung** 10. **Sicherungstest** Diese Funktionen ermöglichen eine umfassende Analyse elektrischer Schaltungen und Geräte.

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Ja, an den analogen Eingängen eines Arduino-Boards kann eine Spannung von 0,007 V (7 mV) gemessen werden. Die analogen Eingänge des Arduino sind in der Lage, Spannungen im Bereich von 0 bis... [mehr]

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Ja, an den analogen Eingängen eines Arduino-Boards kann eine Spannung von 0,007 V (7 mV) gemessen werden. Die analogen Eingänge des Arduino sind in der Lage, Spannungen im Bereich von 0 bis 5 V zu erfassen, und die Auflösung beträgt typischerweise 10 Bit, was bedeutet, dass der kleinste messbare Spannungsunterschied etwa 4,88 mV beträgt. Daher sollte eine Spannung von 0,007 V messbar sein, allerdings kann es aufgrund von Rauschen oder anderen Störungen zu Ungenauigkeiten kommen.

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Die Kapazität \( C \) eines Kondensators kann mit der Formel \[ C = \frac{Q}{U} \] berechnet werden, wobei \( Q \) die Ladung in Coulomb und \( U \) die Spannung in Volt ist. In deinem Fall i... [mehr]

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Die Kapazität \( C \) eines Kondensators kann mit der Formel \[ C = \frac{Q}{U} \] berechnet werden, wobei \( Q \) die Ladung in Coulomb und \( U \) die Spannung in Volt ist. In deinem Fall ist die Ladung \( Q = 0,4 \, \text{mC} = 0,4 \times 10^{-3} \, \text{C} \) und die Spannung \( U = 200 \, \text{V} \). Setze die Werte in die Formel ein: \[ C = \frac{0,4 \times 10^{-3} \, \text{C}}{200 \, \text{V}} = \frac{0,4 \times 10^{-3}}{200} = 2 \times 10^{-6} \, \text{F} \] Die Kapazität des Kondensators beträgt also \( 2 \, \mu\text{F} \) (Mikrofarad).

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Um den benötigten Widerstand \( R \) zu berechnen, kannst du das Ohmsche Gesetz verwenden, das lautet: \[ R = \frac{U}{I} \] Dabei ist \( U \) die Spannung in Volt und \( I \) der Strom in Ampe... [mehr]

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Um den benötigten Widerstand \( R \) zu berechnen, kannst du das Ohmsche Gesetz verwenden, das lautet: \[ R = \frac{U}{I} \] Dabei ist \( U \) die Spannung in Volt und \( I \) der Strom in Ampere. In deinem Fall beträgt die Spannung \( U = 12 \, \text{V} \) und der Strom \( I = 400 \, \text{mA} = 0,4 \, \text{A} \). Setze die Werte in die Formel ein: \[ R = \frac{12 \, \text{V}}{0,4 \, \text{A}} = 30 \, \Omega \] Der benötigte Widerstand \( R \) muss also 30 Ohm betragen.

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Wenn eine Glühbirne nicht ausreichend Spannung erhält, wird sie nicht richtig funktionieren. In der Regel bedeutet dies, dass die Glühbirne entweder gar nicht leuchtet oder nur schwach... [mehr]

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Wenn eine Glühbirne nicht ausreichend Spannung erhält, wird sie nicht richtig funktionieren. In der Regel bedeutet dies, dass die Glühbirne entweder gar nicht leuchtet oder nur schwach und flackernd. Die Glühbirne benötigt eine bestimmte Mindestspannung, um den elektrischen Strom durch den Glühfaden zu leiten, der dann erhitzt wird und Licht erzeugt. Bei unzureichender Spannung kann der Glühfaden nicht die notwendige Temperatur erreichen, um Licht abzugeben. In einigen Fällen kann es auch zu einem vollständigen Ausfall der Glühbirne kommen, wenn die Spannung zu niedrig ist.

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Wenn keine äußere Spannung an eine Diode angelegt wird, befinden sich die Dioden in einem Gleichgewichtszustand. In einer p-n-Übergangsdioden gibt es zwei Haupttypen von Ladungsträ... [mehr]

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Wenn keine äußere Spannung an eine Diode angelegt wird, befinden sich die Dioden in einem Gleichgewichtszustand. In einer p-n-Übergangsdioden gibt es zwei Haupttypen von Ladungsträgern: Elektronen (negative Ladungsträger) und Löcher (positive Ladungsträger). 1. **Ladungsträgerverteilung**: Im p-Bereich der Diode gibt es viele Löcher, während im n-Bereich viele Elektronen vorhanden sind. An der Grenzfläche zwischen diesen beiden Bereichen rekombinieren Elektronen und Löcher, was zu einer Verarmungszone führt, in der es kaum Ladungsträger gibt. 2. **Rekombination**: Ohne äußere Spannung bewegen sich die Elektronen und Löcher aufgrund thermischer Energie. Einige Elektronen aus dem n-Bereich können in den p-Bereich diffundieren und rekombinieren mit Löchern, während Löcher aus dem p-Bereich in den n-Bereich diffundieren können. Diese Rekombination führt dazu, dass die Verarmungszone stabil bleibt. 3. **Feldbildung**: Die Rekombination erzeugt ein internes elektrisches Feld in der Verarmungszone, das die Bewegung von weiteren Elektronen und Löchern hemmt. Dieses Feld sorgt dafür, dass die Diode in einem Sperrzustand bleibt, solange keine äußere Spannung angelegt wird. Zusammenfassend lässt sich sagen, dass ohne äußere Spannung die Dioden in einem stabilen Gleichgewichtszustand sind, in dem die Rekombination von Elektronen und Löchern die Verarmungszone aufrechterhält.