In einem Patch-Clamp Experiment kann der Membranwiderstand (R_m) und der Dichtungswiderstand (R_s) aus einem Spannungssprung (ΔV) und einem gemessenen Leckstrom (I_leak) berechnet werden. Die grundlegende Gleichung, die verwendet wird, basiert auf dem Ohmschen Gesetz: \[ R = \frac{\Delta V}{I} \] Hier sind die Schritte zur Berechnung: 1. **Gesamtwiderstand (R_total)**: Zuerst wird der Gesamtwiderstand aus dem Spannungssprung und dem Leckstrom berechnet: \[ R_{total} = \frac{\Delta V}{I_{leak}} \] 2. **Membranwiderstand (R_m)**: Der Membranwiderstand kann isoliert werden, wenn der Dichtungswiderstand bekannt ist. Wenn der Dichtungswiderstand (R_s) und der Membranwiderstand (R_m) parallel geschaltet sind, gilt: \[ \frac{1}{R_{total}} = \frac{1}{R_m} + \frac{1}{R_s} \] Um R_m zu berechnen, kann die Gleichung umgestellt werden: \[ R_m = \left( \frac{1}{R_{total}} - \frac{1}{R_s} \right)^{-1} \] 3. **Dichtungswiderstand (R_s)**: Wenn der Dichtungswiderstand nicht direkt gemessen werden kann, muss er aus anderen experimentellen Daten oder Annahmen abgeleitet werden. Zusammengefasst: - Berechne den Gesamtwiderstand (R_total) aus dem Spannungssprung (ΔV) und dem Leckstrom (I_leak). - Verwende die Parallelwiderstandsformel, um den Membranwiderstand (R_m) zu berechnen, wenn der Dichtungswiderstand (R_s) bekannt ist. Diese Berechnungen setzen voraus, dass die relevanten Widerstände und Ströme korrekt gemessen und die Annahmen über die Schaltung (parallel oder seriell) zutreffend sind.