Die Verwendung von Through-Silicon Vias (TSVs) in vertikalen Speicherarchitekturen, insbesondere in 3D-DRAMs, begann in den frühen 2010er Jahren. TSVs ermöglichen dieikale Stapelung von Speicherchips, was einer höheren Speicherdichte und besseren Leistung führt. Ein bemerkenswertes Beispiel ist die High Bandwidth Memory (HBM) Technologie, die von Unternehmen wie AMD und Hynix um 2013-2014 eingeführt wurde.