n-Leiter und p-Leiter entstehen durch gezielte Dotierung von Halbleitermaterialien, typischerweise Silizium. 1. **n-Leiter (n-Typ)**: Bei der n-Dotierung wird ein Element mit mehr Valenzelektronen als Silizium (z. B. Phosphor, Arsen) hinzugefügt. Diese Elemente haben fünf Valenzelektronen, während Silizium vier hat. Das zusätzliche Elektron wird nicht benötigt, um Bindungen zu bilden, und bleibt frei beweglich, was die elektrische Leitfähigkeit erhöht. Dadurch entstehen negative Ladungsträger, die Elektronen. 2. **p-Leiter (p-Typ)**: Bei der p-Dotierung wird ein Element mit weniger Valenzelektronen als Silizium (z. B. Bor, Aluminium) hinzugefügt. Diese Elemente haben nur drei Valenzelektronen. Wenn sie in das Siliziumgitter eingebaut werden, entsteht ein „Loch“ (fehlendes Elektron), das als positive Ladungsträger fungiert. Diese Löcher können sich durch das Gitter bewegen und tragen zur elektrischen Leitfähigkeit bei. Durch diese Dotierungsprozesse können die elektrischen Eigenschaften von Halbleitern gezielt verändert werden, was für die Herstellung von Bauelementen wie Dioden und Transistoren entscheidend ist.