Ja, das ist korrekt. In einer Halbleiterdiode, wenn eine externe Spannung in Durchlassrichtung angelegt wird, werden die entgegengesetzt geladenen freien Ladungsträger (Elektronen und Löcher) von den Polen der Spannungsquelle angezogen. Elektronen werden zur p-Seite und Löcher zur n-Seite gezogen. Dies führt dazu, dass die Sperrschicht (die Verarmungszone) verkleinert wird, da die Ladungsträger die Barriere überwinden und einen Stromfluss ermöglichen.