Ja, das ist korrekt. In einem p/n-Übergang einer Halbleiterdiode gibt es ein internes elektrisches Feld, das durch die Raumladungszone (Depletionszone) entsteht. Dieses interne Feld zeigt von der n-Seite zur p-Seite und wirkt der Diffusion der Ladungsträger entgegen. Wenn eine externe Spannungsquelle in Vorwärtsrichtung an den p/n-Übergang angelegt wird, erzeugt sie ein elektrisches Feld, das in die gleiche Richtung wie das interne Feld zeigt. Dieses externe Feld schwächt das interne Feld ab, wodurch die Barriere für die Ladungsträger verringert wird. Dies führt dazu, dass Elektronen leichter von der n-Seite zur p-Seite und Löcher von der p-Seite zur n-Seite diffundieren können, was den Stromfluss durch die Diode ermöglicht. Umgekehrt, wenn eine externe Spannungsquelle in Sperrrichtung angelegt wird, verstärkt das externe Feld das interne Feld, wodurch die Barriere erhöht wird und der Stromfluss durch die Diode stark reduziert wird.