Ja, theoretisch ist es denkbar, Siliziumdioxid (SiO2) mit Sauerstoffionen zu dotieren. Dotierung bezieht sich auf die gezielte Einführung von Verunreinigungen in ein Material, um dessen elektrische oder optische Eigenschaften zu verändern. In der Halbleitertechnologie wird SiO2 häufig als Dielektrikum verwendet, und die Dotierung mit Sauerstoffionen könnte potenziell die Eigenschaften des Materials beeinflussen, wie z.B. die Bandstruktur oder die Leitfähigkeit. Allerdings ist die praktische Umsetzung und die Auswirkungen einer solchen Dotierung auf die Materialeigenschaften komplex und müssten durch experimentelle Studien validiert werden.