Nach dem Ätzen und dem Entfernen des Photoresists bei der Photolithographie auf Silizium-Wafern erfolgt in der Regel eine Reihe von Schritten: 1. **Reinigung**: Der Wafer wird gründlich gereinigt, um Rückstände des Photoresists und des Ätzmittels zu entfernen. Dies kann durch chemische Reinigungsverfahren oder durch Spülen mit deionisiertem Wasser geschehen. 2. **Inspektion**: Der Wafer wird auf Defekte oder Unregelmäßigkeiten überprüft, um sicherzustellen, dass die Lithographie- und Ätzprozesse korrekt durchgeführt wurden. 3. **Dopierung (optional)**: In einigen Fällen kann eine Dopierung des Siliziums erfolgen, um die elektrischen Eigenschaften des Materials zu verändern. Dies geschieht häufig durch Ionenimplantation oder Diffusion. 4. **Oxidation (optional)**: Eine Oxidschicht kann auf dem Wafer erzeugt werden, um als Isolator oder Schutzschicht zu dienen. Dies geschieht typischerweise durch thermische Oxidation oder chemische Dampfabscheidung. 5. **Weitere Lithographie- und Ätzschritte**: Je nach dem gewünschten Endprodukt können weitere Lithographie- und Ätzprozesse folgen, um komplexere Strukturen zu erzeugen. 6. **Metallisierung (optional)**: In vielen Fällen wird eine Metallisierung durchgeführt, um elektrische Kontakte herzustellen. Dies geschieht durch das Aufbringen einer Metallschicht, gefolgt von einem weiteren Lithographie- und Ätzprozess. Diese Schritte sind Teil des gesamten Herstellungsprozesses von integrierten Schaltungen und Mikroelektronik.