Silicium kann durch Dotierung mit Bor und Phosphor in p-typ und n-typ Halbleiter umgewandelt werden. 1. **Bor-Dotierung**: Wenn Silicium mit Bor dotiert wird, entsteht ein p-typ Halbleiter. Bor hat drei Valenzelektronen und schafft "Löcher" im Siliciumgitter, da es ein Elektron weniger hat als Silicium. Diese Löcher können als positive Ladungsträger betrachtet werden. 2. **Phosphor-Dotierung**: Bei der Dotierung mit Phosphor entsteht ein n-typ Halbleiter. Phosphor hat fünf Valenzelektronen, was bedeutet, dass es ein zusätzliches Elektron in das Siliciumgitter einbringt. Dieses zusätzliche Elektron kann sich frei bewegen und fungiert als negativer Ladungsträger. Zusammengefasst: - Bor führt zu p-typ Dotierung (Löcher als Majoritätsladungsträger). - Phosphor führt zu n-typ Dotierung (freie Elektronen als Majoritätsladungsträger).