Bei Halbleitern wird durch gezielte Dotierung mit Fremdstoffen die elektrische Leitfähigkeit verändert. Dies geschieht, um p-n-Übergänge zu erzeugen, die für viele elektronisc... [mehr]
Die n-Dotierung ist ein Prozess in der Halbleitertechnik, bei dem ein Halbleitermaterial (meistens Silizium) mit Fremdatomen dotiert wird, die mehr Valenzelektronen haben als das Grundmaterial. Diese Fremdatome, oft Phosphor oder Arsen, haben fünf Valenzelektronen, während Silizium vier hat. Durch die Zugabe dieser Atome entsteht ein Überschuss an freien Elektronen im Halbleitermaterial, was die elektrische Leitfähigkeit erhöht. Diese freien Elektronen sind die Ladungsträger in einem n-dotierten Halbleiter, wobei das "n" für "negativ" steht, da die Elektronen negativ geladen sind.
Bei Halbleitern wird durch gezielte Dotierung mit Fremdstoffen die elektrische Leitfähigkeit verändert. Dies geschieht, um p-n-Übergänge zu erzeugen, die für viele elektronisc... [mehr]
Silicium kann durch Dotierung mit Bor und Phosphor in p-typ und n-typ Halbleiter umgewandelt werden. 1. **Bor-Dotierung**: Wenn Silicium mit Bor dotiert wird, entsteht ein p-typ Halbleiter. Bor hat... [mehr]
Zum Dotieren von Silizium und Germanium eignen sich hauptsächlich Elemente, die entweder drei oder fünf Valenzelektronen haben. 1. **Akzeptoren (drei Valenzelektronen)**: Diese Elemente we... [mehr]
Ein p-n-Übergang ist eine Grenzfläche zwischen zwei Halbleitermaterialien, die unterschiedlich dotiert sind: einem p-dotierten (positiv dotierten) und einem n-dotierten (negativ dotierten) H... [mehr]
Halbleiter sind Materialien, die elektrische Eigenschaften zwischen denen von Leitern (wie Metallen) und Isolatoren (wie Glas) aufweisen. Sie können unter bestimmten Bedingungen Strom leiten, w&a... [mehr]
ISFET steht für "Ion-Sensitive Field-Effect Transistor". Es handelt sich um einen speziellen Transistor, der zur Messung von Ionenaktivitäten in Lösungen verwendet wird. ISFET... [mehr]