Die n-Dotierung ist ein Prozess in der Halbleitertechnik, bei dem ein Halbleitermaterial (meistens Silizium) mit Fremdatomen dotiert wird, die mehr Valenzelektronen haben als das Grundmaterial. Diese Fremdatome, oft Phosphor oder Arsen, haben fünf Valenzelektronen, während Silizium vier hat. Durch die Zugabe dieser Atome entsteht ein Überschuss an freien Elektronen im Halbleitermaterial, was die elektrische Leitfähigkeit erhöht. Diese freien Elektronen sind die Ladungsträger in einem n-dotierten Halbleiter, wobei das "n" für "negativ" steht, da die Elektronen negativ geladen sind.