Die p- und n-Dotierung sind Verfahren zur Modifikation der elektrischen Eigenschaften von Halbleitermaterialien, insbesondere Silizium. - **n-Dotierung**: Hierbei werden Elektronenüberschüsse in das Halbleitermaterial eingeführt. Dies geschieht durch das Hinzufügen von Elementen mit fünf Valenzelektronen, wie Phosphor oder Arsen. Diese zusätzlichen Elektronen erhöhen die elektrische Leitfähigkeit, da sie als freie Ladungsträger fungieren. - **p-Dotierung**: Bei der p-Dotierung werden Elemente mit drei Valenzelektronen, wie Bor oder Aluminium, hinzugefügt. Diese Elemente schaffen „Löcher“ (fehlende Elektronen) im Kristallgitter, die ebenfalls als positive Ladungsträger wirken. Dadurch wird die Leitfähigkeit ebenfalls erhöht, jedoch durch die Bewegung dieser Löcher. Zusammen bilden p- und n-dotierte Materialien die Grundlage für viele elektronische Bauelemente, wie Dioden und Transistoren.