Zum Dotieren von Silizium und Germanium eignen sich hauptsächlich Elemente, die entweder drei oder fünf Valenzelektronen haben. 1. **Akzeptoren (drei Valenzelektronen)**: Diese Elemente werden verwendet, um p-dotiertes Material zu erzeugen. Beispiele sind: - Bor (B) - Aluminium (Al) - Gallium (Ga) - Indium (In) 2. **Donatoren (fünf Valenzelektronen)**: Diese Elemente werden verwendet, um n-dotiertes Material zu erzeugen. Beispiele sind: - Phosphor (P) - Arsen (As) - Antimon (Sb) Durch das Dotieren mit diesen Elementen kann die elektrische Leitfähigkeit von Silizium und Germanium gezielt verändert werden, was für die Herstellung von Halbleiterbauelementen entscheidend ist.