In einem dotierten Halbleiter sind gezielt Fremdatome (Dotierstoffe) hinzugefügt, um die elektrischen Eigenschaften des Materials zu verändern. Diese Dotierstoffe erzeugen zusätzliche E... [mehr]
N-Dotierung und P-Dotierung sind zwei Methoden zur Modifikation der elektrischen Eigenschaften von Halbleitermaterialien, insbesondere von Silizium. 1. **N-Dotierung (n-type doping)**: Bei der N-Dotierung werden Elemente mit mehr Valenzelektronen als das Halbleitermaterial hinzugefügt, typischerweise Elemente der Gruppe V des Periodensystems, wie Phosphor oder Arsen. Diese zusätzlichen Elektronen erhöhen die Anzahl der freien Ladungsträger (Elektronen) im Material, was die elektrische Leitfähigkeit erhöht. Das "N" steht für negative Ladungsträger. 2. **P-Dotierung (p-type doping)**: Bei der P-Dotierung werden Elemente mit weniger Valenzelektronen als das Halbleitermaterial verwendet, meist Elemente der Gruppe III, wie Bor oder Aluminium. Diese Dotierung erzeugt "Löcher" (fehlende Elektronen), die als positive Ladungsträger fungieren. Das "P" steht für positive Ladungsträger. Durch die Kombination von N- und P-Dotierung können verschiedene elektronische Bauelemente wie Dioden und Transistoren hergestellt werden, die in der modernen Elektronik eine zentrale Rolle spielen.
In einem dotierten Halbleiter sind gezielt Fremdatome (Dotierstoffe) hinzugefügt, um die elektrischen Eigenschaften des Materials zu verändern. Diese Dotierstoffe erzeugen zusätzliche E... [mehr]