1 Frage zu Eeprom

FRAM (Ferroelectric RAM) und EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) unterscheiden sich deutlich in der Anzahl der möglichen Lese-/Schreibzyklen: **FRAM:** - Typische Anzahl der Lese-/Schreibzyklen: **10¹² bis 10¹⁵** (also 1 Billion bis 1 Billiarde Zyklen) - FRAM ist damit extrem langlebig und nahezu verschleißfrei im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern. **EEPROM:** - Typische Anzahl der Lese-/Schreibzyklen: **10⁴ bis 10⁶** (also 10.000 bis 1.000.000 Zyklen) - EEPROMs verschleißen mit jedem Schreibvorgang, weshalb sie für häufige Schreibzugriffe weniger geeignet sind. **Zusammenfassung:** - **FRAM:** 1 Billion bis 1 Billiarde Zyklen (10¹²–10¹⁵) - **EEPROM:** 10.000 bis 1.000.000 Zyklen (10⁴–10⁶) Weitere Informationen zu den Technologien findest du z.B. bei [Texas Instruments – FRAM vs. EEPROM](https://www.ti.com/lit/an/sloa122/sloa122.pdf) und [Wikipedia – EEPROM](https://de.wikipedia.org/wiki/EEPROM).